忆阻器，全称记忆电阻。最早提出忆阻器概念的人是华裔的科学家蔡少棠，时间是 1971 年。2013年，比勒菲尔德大学物理学系的高级讲师安迪•托马斯博士研制的忆阻器被内置于比人头发薄600倍的芯片中，利用这种忆阻器作为人工大脑的关键部件，他的研究结果将发表在《物理学学报D辑：应用物理学》杂志上。忆阻器概念股一览：安纳达、佰利联、蓝星新材、中核钛白、攀钢钒钛。
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